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楼主: cygh200
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DC48V相电流100A和200A无刷电机控制器已全面供货

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11#
发表于 2008-9-26 14:09:47 | 只看该作者
是啊,只有高电压应用才用IGBT的(一般200V以上)。
12#
发表于 2008-9-26 14:45:49 | 只看该作者
刚看到IGBT字眼,其实现在的IGBT可以做到大约1.2V的压降,但没见过100V低压的IGBT,而MOS在100V下,很容易做到4毫欧140A,十块钱以下,并联越多损耗越小,IGBT再并联也低不到1.2V.而1.2V*200A有240W的损耗了。
13#
发表于 2008-9-27 11:49:33 | 只看该作者
用IGBT估计是不得巳而为之.

上次去上海XX大学,据他们负责大功率工业控制器开发的彭工介绍,国内多MOS并联技术是个开发大功率工业控制器的瓶颈,目前尚无发现那家企业或研究机构能攻击此技术难关,国家863项目中的相关应用也是采用了IGBT的权宜之计,我见过实物,觉得无论成本还是性能都与国外产品存在较大差距.
14#
 楼主| 发表于 2008-10-14 21:18:09 | 只看该作者
看来这里高手不少,相电流100A和200A指的是额定功率下的值,对于3KW以上的电动车电机控制器,都要求至少有2倍以上的过载转矩,也就是说,相电流100A的控制器,最大相电流大于200A,相电流200A的控制器,最大相电流超过400A,对于用MOSFET并联要达到400A以上,结构复杂,工艺难,质量难以保障,用IGBT相对简单,就是成本较高
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