HTCA-4818-R01充电器设计

大林子

7575应该是两块多吧，忘记了，功能多，卖点多，市场也不小吧。还能从300V线上启动，省了启动电路。

胡屠

我记得“安森美”也有这么一款，叫NCP1200,价格可是近5元。刚才询问了LD7575的价格，的确是2.00(不开票）。那么，我想采用LD7575做设计，因为它具有过压过流保护。在这里，强烈要求大林子贡献设计思想。
     杀猪的继续用UC3842做设计进行下去，用LD7575的设计等着大林子版主来。

[ 本帖最后由 胡屠 于 2007-9-21 18:19 编辑 ]

ckks

最好 搞出自激式的 兄弟们上啊

cheng7799

支持一下!

信阳得康

密切关注  胡屠的作品不会差

大林子

NCP的东东都贵，性能是不错。
胡总用2842做控制电路了，我只能用LD7575献丑。但7575的应用资料不在家里在，明天贴上应用图。这是它和NCP1203的对照表。

tjlz

支持 :) :)

1老头

大管G S上面套磁珠。也是一个很好的防止自激方法。

如果前面的驱动能力大 G  S 并越小的电阻是越好。

1老头

最好再 加个15v   1/2W稳压管

胡屠

加磁珠是吸收电磁干扰，加稳压二极管是保护门极过压，都是好措施。但我个人反对驱动能力够的情况下门极电阻越小的说法，因为这是学院派的设计。我坚持认为门极参数需要跟电路板的LAYOUT结合起来，跟MOS管、快恢复二极管实际参数结合起来，最终由调试决定。
      根据工程经验，导通时以不出现负电流最好，关断以驱动能力极限确定，越快越好，当然，关断出现的高压不得超过MOS的标称电压。
      我在前面说的开关自耦，指的是门极进入放大区，产生的自耦现象。见下面的图。


      当门极电压VG进入放大区，此时IR2电流产生，在电阻R2上产生电压，该电压使得VG下降，VG下降由造成IR2下降，IR2下降又促使VG上升，形成了IR2的高频振荡。由于MOS管内部的寄生电感和电路板线路电感的存在，这个振荡电流的峰值会很大，甚至几百安培。早期用MC33035制作的无刷控制器，采用低端PWM调整，就存在着这样的现象，因此可靠行不高。现在的无刷控制器都采用高端PWM调制，在线路上就避免了电流反馈电阻造成的自耦振荡。
      由于采用UC2842、LD7575芯片，不能实现NCP1215（正品价格在4～5元，可以批量供货。水货2.1元，无法保证批量供货）那样的负电压采样电路回避采样电阻造成的自耦振荡，我们就只能想办法削弱这个振荡。
      1、降慢开关速度；
      2、增加消振电容；
      3、降低反馈电压。
     在下面，杀猪的将重点阐述如何在使用UC2842时降低反馈电压。

[ 本帖最后由 胡屠 于 2007-9-22 09:43 编辑 ]