HTCA-4818-R01充电器设计

大林子

我顶多是加个G极电容，如何降低MOS管的结电容反传电压，我倒是想看看。

1老头

班主分析的很深呀，，

胡屠

3、电流取样：
    3）、减小门极自耦：

      如上图所示。做为电流反馈电路，由R8、R7、C5组成，这是一个降压电路。如果说IS最高电压为1V，那么，在电流取样电阻上的电压就比1V更高，自耦反馈就更强。这样的设计不仅“科林”如此，“西普尔”同样如此，因为他们根本就不在乎这所谓的“自耦”振荡。
      由于UC2842芯片内部已经确定了VIS的最大值为1V，如何降低这个值，比如将这个值降到0.2V，这样就将自耦衰减5倍。VIS值的下降，带来的另外一个影响，就是副边的反馈灵敏度也需要随之提高，这个问题也不是问题。

      如上所示，取消电流反馈的分压电阻，在闭环控制电流增加+5V偏置输入。由于IS设定最大的时候，是光耦U2关断的时候，它的等效电路如下。
     通过加偏置加入+5V，在反向运算放大的工作下，将IS的设定压到我们需要的设定值。设R11=1K，R9=5.1K，R6=10K，VD（二极管压降）=0.6V，则
VIS=2.5×R6×(1/(R9+R11)+1/R6-1/R7-2VD)/3
求得R7=2.92(K)

上述电路在杀猪的设计的48V/12V（8～20A）转换器上批量生产过，可靠性相对较高。

[ 本帖最后由 胡屠 于 2007-9-22 13:14 编辑 ]

大林子

的确没想过去降低电流反馈的电压，见别人这么用我们都以为是可以降低取样电阻上的功耗，愧呀！如果我用7575做，胡总的方法估计用不上，还好电流反馈电压只有0.85V.凑合。

胡屠

当初设计30A的转换器，温升极高，想降低温度，就必须想办法降低开关功耗，也是被逼的。
      技术性能都想兼顾，就不能兼顾成本。我在这里抛砖引玉，只想一起设计个专业厂家不会说三道四的图纸出来。
      如果诸位认同我前面所说，我们就进行下面的设计。

大林子

可以，想得周到 ，下一步吧。我设计30A转换器的电流取样时，用的康铜丝，两根并联，发热才能接受。

老顽童

原帖由 胡屠 于 2007-9-22 14:26 发表
当初设计30A的转换器，温升极高，想降低温度，就必须想办法降低开关功耗，也是被逼的。
      技术性能都想兼顾，就不能兼顾成本。我在这里抛砖引玉，只想一起设计个专业厂家不会说三道四的图纸出来。
       ...

不知道胡总用的着不，用冷堆降温或者恒温，但成本要加大许多。廊坊有个专门生产的合资企业。

大林子

冷堆是嘛玩艺，是不是热管散热。

胡屠

七、        补充方式的确定：
1）、恒压转浮充
当充电电压到达一个电压值时，稳定电压，等待电流下降到200mA±50mA，转到浮充电压。这里不多做阐述。
2）、脉冲补充
    就是当充电压到达最高值时，关闭充电电流，等电池电压回到浮充电压时，又开始充电，形成慢脉冲充电方式。这是一些专业给铅酸电池充电的芯片采用的方式，这种方式有利于打破电池之间的补平衡。本人也专门用三段式充电器和脉冲补充充电器做过对比实验，效果很明显。科林的正脉冲充电器也是这样的工作模式。

    这是TI的铅酸电池充电芯片BQ2031的充电曲线。

这一点至关重要，希望大家能给我一个明确的方案。

[ 本帖最后由 胡屠 于 2007-9-23 10:28 编辑 ]

胡屠

久等不见回应，杀猪的只好自言自语：这里没有MM，真的没劲！